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2022.12.02
【中實創新】IGBT焊片封裝空洞率新突破!

IGBT,是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場效應管MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

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IGBT驅動功率小而飽和壓降低,是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

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IGBT模塊的應用決定了其不僅要有極高的可靠性,且要有較長的使用壽命。

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IGBT在實現電流切換的過程中,會產生較大的功率損耗,因此“散熱”是影響其可靠性的重要因素。而芯片焊接處和基片焊接處等位置,是IGBT主要的熱量傳輸通道,焊接處的焊接質量影響了IGBT的可靠性和壽命。

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研究表明,焊料層內出現空洞時,芯片結溫隨之增加,且芯片結溫與焊料層空洞率幾乎成正比。從而影響熱循環,造成局部溫度過高,降低模塊使用壽命。器件的工作溫度每升高10℃,其失效率將增大一倍左右。

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因此,IBGT封裝,最重要的是降低焊料層的空洞率。

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中實研發IGBT預成型焊片

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國內首創

> IGBT?八元合金焊片

產品特點:

-滿足新能源汽車高可靠性、超長壽命需求

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-更長的產品生命周期性

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> IGBT 加強型等高焊片

產品特點:

-?高強度

-?應力分布均勻

-?焊接層均勻、焊接高度可控

-?低空洞率

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空洞率對比

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實驗數據

以下為對比實驗數據,可以看到中實IGBT預成型焊片,有效降低了焊接空洞率,且產品穩定性表現更佳。

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目前,中實IGBT預成型焊片已穩定供貨于各大半導體企業、新能源汽車企業等。

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